图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

BSD214SN L6327 

产品描述

MOSFET N-KANAL SML SIG MOS

内部编号

173-BSD214SN-L6327

生产厂商

Infineon Technologies

infineon

#1

数量:0
最小起订量:1
美国费城
当天发货,5-8个工作日送达.
立即询价

订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

BSD214SN L6327产品详细规格

规格书 BSD214SN L6327 datasheet 规格书
BSD214SN
BSD214SN L6327 datasheet 规格书
文档 Multiple Devices 30/Nov/2011
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 3,000
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS) 20V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 1.5A
Rds(最大)@ ID,VGS 140 mOhm @ 1.5A, 4.5V
VGS(TH)(最大)@ Id 1.2V @ 3.7µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 0.8nC @ 5V
输入电容(Ciss)@ Vds的 143pF @ 10V
功率 - 最大 500mW
安装类型 Surface Mount
包/盒 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供应商器件封装 PG-SOT363-6
包装材料 Tape & Reel (TR)
FET特点 Logic Level Gate
封装 Tape & Reel (TR)
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 1.5A (Ta)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 1.2V @ 3.7µA
漏极至源极电压(Vdss) 20V
标准包装 3,000
供应商设备封装 PG-SOT363-6
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 140 mOhm @ 1.5A, 4.5V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 500mW
封装/外壳 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
输入电容(Ciss ) @ VDS 143pF @ 10V
闸电荷(Qg ) @ VGS 0.8nC @ 5V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 BSD214SN L6327INDKR
工厂包装数量 3000
产品种类 MOSFET
晶体管极性 N-Channel
源极击穿电压 12 V
连续漏极电流 1.5 A
系列 BSD214
安装风格 SMD/SMT
RDS(ON) 140 mOhms
功率耗散 0.5 W
最低工作温度 - 55 C
正向跨导 - 闵 4 S
典型关闭延迟时间 6.8 ns
零件号别名 BSD214SNL6327HTSA1
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
漏源击穿电压 20 V
RoHS RoHS Compliant
栅极电荷Qg 0.8 nC

BSD214SN L6327系列产品

BSD214SN L6327也可以通过以下分类找到

BSD214SN L6327相关搜索

订购BSD214SN L6327.产品描述:MOSFET N-KANAL SML SIG MOS. 生产商: Infineon Technologies.芯天下有低价

咨询QQ

综合类:

热线电话

  • 北京
  • 010-62178861
    010-82149921
    010-82149466
    010-82149028
    010-82149008
    010-62165661
    010-62110889
    010-62153988
    010-62155488
    010-56429953
    010-82149488
    010-57196138
  • 深圳
  • 0755-83975736
    0755-83997440
    0755-83247615
    0755-82511472
  • 苏州
  • 0512-67687578
    0512-67483580
    0512-67684200
    0512-67683728
    0512-68796728
  • 传真
  • 010-62178897;  0755-83995470;
  • 邮件: rfq@oneic.com